RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
71
Около 61% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
71
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1902
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link