RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
45
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
45
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2556
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link