RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
57
Autour de 39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
57
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2170
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link