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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
57
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
57
读取速度,GB/s
14.4
9.4
写入速度,GB/s
9.5
7.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2170
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
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