RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2563
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link