RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
35
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2963
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link