RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
35
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
22
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3987
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link