RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
35
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3987
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link