RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
39
Autour de -117% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
18
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
3668
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link