Comparaison de la RAM Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Note globale

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

37 56

Autour de -51% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

9.5 3

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

7.7 1,501.2

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 4200

Autour de 4.05 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

381 1949

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns