RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
56
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,501.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,161.0
9.5
Скорость записи, Гб/сек
1,501.2
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
381
1949
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link