Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    37 left arrow 56
    Около -51% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    9.5 left arrow 3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.7 left arrow 1,501.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 4200
    Около 4.05 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    56 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,161.0 left arrow 9.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,501.2 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    4200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    381 left arrow 1949
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения