Confronto tra le RAM Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

37 56

Intorno -51% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

9.5 3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

7.7 1,501.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 4200

Intorno 4.05 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

381 1949

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns