Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    37 left arrow 56
    Intorno -51% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    9.5 left arrow 3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.7 left arrow 1,501.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 4200
    Intorno 4.05 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    56 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,161.0 left arrow 9.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,501.2 left arrow 7.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    381 left arrow 1949
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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