Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Unterschiede

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    37 left arrow 56
    Rund um -51% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.5 left arrow 3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.7 left arrow 1,501.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 4200
    Rund um 4.05 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    56 left arrow 37
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,161.0 left arrow 9.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,501.2 left arrow 7.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    381 left arrow 1949
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RAM 2

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