Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

37 56

Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

9.5 3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.7 1,501.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 4200

Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

381 1949

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns