Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    37 left arrow 56
    En -51% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    9.5 left arrow 3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.7 left arrow 1,501.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 4200
    En 4.05 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    56 left arrow 37
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,161.0 left arrow 9.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,501.2 left arrow 7.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    381 left arrow 1949
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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