RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Compara
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
56
En -51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.5
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
1,501.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,161.0
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,501.2
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
381
1949
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link