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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Compara
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
56
En -51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.5
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
1,501.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,161.0
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,501.2
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
381
1949
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
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