RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
77
Autour de -133% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
3013
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link