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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
77
左右 -133% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
33
读取速度,GB/s
2,936.9
16.5
写入速度,GB/s
1,884.0
12.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3013
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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