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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
44
Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
39
44
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
1853
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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