RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
83
Autour de 53% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
83
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
1774
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link