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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
比較する
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
総合得点
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
83
周辺 53% 低遅延
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.3
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
83
読み出し速度、GB/s
11.7
14.3
書き込み速度、GB/秒
7.2
8.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1749
1774
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAMの比較
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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