RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
56
Autour de -124% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
2786
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link