RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
56
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2786
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 9905471-084.A00LF 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link