Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Средняя оценка

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.4

Среднее значение в тестах

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Причины выбрать
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 56

Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.4 1,813.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

56 25
Скорость чтения, Гб/сек

4,387.7 15.4
Скорость записи, Гб/сек

1,813.5 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

693 2786

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB

Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

модули RAM