RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
56
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2786
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link