Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Note globale
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 17.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    25 left arrow 56
    Autour de -124% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    13.7 left arrow 1,813.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 6400
    Autour de 3.33 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    56 left arrow 25
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,387.7 left arrow 17.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,813.5 left arrow 13.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    693 left arrow 2994
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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