RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
56
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2994
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link