Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 17.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 56
    Wokół strony -124% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    13.7 left arrow 1,813.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 6400
    Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    56 left arrow 25
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,387.7 left arrow 17.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,813.5 left arrow 13.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    693 left arrow 2994
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania