Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Note globale
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Note globale
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    56 left arrow 65
    Autour de 14% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,451.8 left arrow 1,813.5
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    56 left arrow 65
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,387.7 left arrow 4,605.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,813.5 left arrow 2,451.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    693 left arrow 878
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons