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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
総合得点
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
総合得点
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
56
65
周辺 14% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,451.8
1,813.5
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
56
65
読み出し速度、GB/s
4,387.7
4,605.9
書き込み速度、GB/秒
1,813.5
2,451.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
6400
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
693
878
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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