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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

総合得点
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

総合得点
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    56 left arrow 65
    周辺 14% 低遅延
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,451.8 left arrow 1,813.5
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 65
  • 読み出し速度、GB/s
    4,387.7 left arrow 4,605.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,813.5 left arrow 2,451.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    693 left arrow 878

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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Kingston 9965589-005.A01G 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
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Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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