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Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Comparez
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Note globale
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
51
Autour de 41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.9
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14200
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
51
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14200
17000
Other
Description
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2272
2248
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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