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Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
比较
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
总分
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.9
9.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
14200
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
51
读取速度,GB/s
10.9
9.6
写入速度,GB/s
9.1
7.8
内存带宽,mbps
14200
17000
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
2248
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
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