RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14200
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
51
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
14200
17000
Other
Opis
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
2248
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB Porównanie pamięci RAM
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link