RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2706
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link