RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB 考慮すべき理由
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 26
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 2706

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAMの比較

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
メモリRAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
メモリRAM