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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3509
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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