RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3090
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link