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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
60
Autour de -173% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2633
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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