RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
60
Por volta de -173% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
8.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2633
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link