RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
60
Около -173% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2633
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link