RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
60
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2633
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link