RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3119
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link