RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3119
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link