RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3148
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link