RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3148
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link