RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
17.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
4053
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link