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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
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更快的读取速度,GB/s
18.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
26
读取速度,GB/s
12.8
18.8
写入速度,GB/s
9.0
17.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
4053
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
OCZ OCZ2RPX8002G 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
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