RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
21.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
19.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
4044
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link