RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
37
Autour de 30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
37
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2046
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link