RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2533
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link