RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
48
Autour de 46% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
48
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2220
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link