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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
48
Por volta de 46% menor latência
Razões a considerar
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
48
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2220
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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